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1N4006GHB0G

1N4006GHB0G

Nur als Referenz

Teilenummer 1N4006GHB0G
PNEDA Teilenummer 1N4006GHB0G
Beschreibung DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 3.240
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N4006GHB0G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N4006GHB0G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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1N4006GHB0G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)800V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 1A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F.10pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AL, DO-41, Axial
LieferantengerätepaketDO-204AL (DO-41)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

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Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2.3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AA, DO-8, Stud

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

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ON Semiconductor

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-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

300ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 125°C

1N3291A

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 100A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

24mA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AA, DO-8, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AA (DO-8)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 200°C

RSX071VA-30TR

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

700mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

420mV @ 700mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

560mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

570µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

270pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

DO-219AB (SMF)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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