GB25MPS17-247
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| Teilenummer | GB25MPS17-247 |
| PNEDA Teilenummer | GB25MPS17-247 |
| Beschreibung | SIC DIODE 1700V 25A TO-247-2 |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.768 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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GB25MPS17-247 Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GB25MPS17-247 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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GB25MPS17-247 Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1700V |
| Current - Average Rectified (Io) | 110A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 25A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 30µA @ 1700V |
| Kapazität @ Vr, F. | 1596pF @ 1V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-2 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-2 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 650mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AL (DO-41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket ITO-220AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 8320A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 795mV @ 4000A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100mA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AD Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -25°C ~ 150°C |
Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 100A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.7V @ 100A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 300ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 45mA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-205AA, DO-8, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AA (DO-8) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/162 Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 15A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AA (DO-4) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
