SI9910DY-E3 Datenblatt
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie - Angetriebene Konfiguration High-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10.8V ~ 16.5V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1A, 1A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 500V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 50ns, 35ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - Angetriebene Konfiguration High-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10.8V ~ 16.5V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1A, 1A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 500V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 50ns, 35ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - Angetriebene Konfiguration High-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10.8V ~ 16.5V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1A, 1A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 500V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 50ns, 35ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
