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SI9910DY-T1-E3

SI9910DY-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI9910DY-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI9910DY-T1-E3
Beschreibung IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 5.112
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SI9910DY-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI9910DY-T1-E3
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
SI9910DY-T1-E3, SI9910DY-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 283,28 KB)
PDFSI9910DY-E3 Datenblatt Cover
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SI9910DY-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
Angetriebene KonfigurationHigh-Side
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10.8V ~ 16.5V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)1A, 1A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)500V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)50ns, 35ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

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Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

14V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

500ns, 300ns

Betriebstemperatur

-20°C ~ 60°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Module

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

TC4422CAT

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

9A, 9A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

60ns, 60ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-5

Lieferantengerätepaket

TO-220-5

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Analog Devices

Hersteller

Analog Devices Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-MSOP-EP

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.7V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.9A, 2.3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

40ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

14-SOIC

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