SI9910DY-E3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SI9910DY-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SI9910DY-E3 |
| Beschreibung | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.058 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 25 - Apr 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SI9910DY-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI9910DY-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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SI9910DY-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | High-Side |
| Kanaltyp | Single |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 10.8V ~ 16.5V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 1A, 1A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 500V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 50ns, 35ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 3A, 3A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 25ns, 25ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-DFN-S (6x5) |
