Broadcom Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

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KategorieHalbleiter / Transistoren / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

HerstellerBroadcom Limited

Datensätze 63

Seite 3/3

Teilenummer	Hersteller	Beschreibung	Auf Lager	Serie	Transistortyp	Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)	Frequenz - Übergang	Rauschzahl (dB Typ @ f)	Gewinn	Leistung - max	Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce	Strom - Kollektor (Ic) (max.)	Betriebstemperatur	Montagetyp	Paket / Fall	Lieferantengerätepaket
AT-41535G	Broadcom	RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X	5.148	-	NPN	12V	8GHz	1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz	10dB ~ 18dB	500mW	30 @ 10mA, 8V	60mA	150°C (TJ)	Surface Mount	4-SMD (35 micro-X)	35 micro-X
AT-42000-GP4	Broadcom	RF TRANS NPN 12V 9GHZ CHIP	3.186	-	NPN	12V	9GHz	1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz	10.5dB ~ 14dB	600mW	30 @ 35mA, 8V	80mA	200°C (TJ)	Surface Mount	Die	Chip
AT-64000-GP4	Broadcom	RF TRANS NPN 20V BIPOLAR CHIP	7.092	-	NPN	20V	-	-	-	3W	20 @ 110mA, 8V	200mA	200°C (TJ)	Surface Mount	Die	-

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