Transistoren

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IRF9362TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager30.876
IRF9389PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.8A, 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.892
IRF9389TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.8A, 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager578.226
IRF9395MTR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V Leistung - max: 2.1W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MC Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MC	Auf Lager4.356
IRF9395MTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V Leistung - max: 2.1W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MC Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MC	Auf Lager3.924
IRF9910 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A, 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.762
IRF9910PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A, 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.672
IRF9910TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A, 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.622
IRF9910TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A, 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.374
IRF9952 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager2.988
IRF9952PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.758
IRF9952QTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.370
IRF9952TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.614
IRF9952TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager33.402
IRF9953 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager629
IRF9953PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.334
IRF9953TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager10.503
IRF9953TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager5.598
IRF9956 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager2.520
IRF9956PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.176
IRF9956TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.330
IRF9956TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.266
IRFH4251DTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: FASTIRFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 64A, 188A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V Leistung - max: 31W, 63W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PQFN (5x6)	Auf Lager3.582
IRFH4253DTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 64A, 145A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V Leistung - max: 31W, 50W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PQFN (5x6)	Auf Lager28.980
IRFH4255DTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 64A, 105A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V Leistung - max: 31W, 38W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PQFN (5x6)	Auf Lager4.392
IRFH4257DTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V Leistung - max: 25W, 28W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: Dual PQFN (5x4)	Auf Lager8.226
IRFH7911TR2PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A, 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V Leistung - max: 2.4W, 3.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 18-PowerVQFN Lieferantengerätepaket: PQFN (5x6)	Auf Lager4.734
IRFH7911TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A, 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V Leistung - max: 2.4W, 3.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 18-PowerVQFN Lieferantengerätepaket: PQFN (5x6)	Auf Lager3.384
IRFHE4250DTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: FASTIRFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 86A, 303A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V Leistung - max: 156W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-PowerWFQFN Lieferantengerätepaket: 32-PQFN (6x6)	Auf Lager8.910
IRFHM792TR2PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 251pF @ 25V Leistung - max: 2.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33	Auf Lager3.492

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