Transistoren

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IRF7751 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1464pF @ 25V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager5.436
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IRF7752 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 861pF @ 25V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager8.946
IRF7752GTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 861pF @ 25V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager7.416
IRF7752TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 861pF @ 25V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager5.544
IRF7752TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 861pF @ 25V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager5.328
IRF7754 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager109
IRF7754GTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager8.460
IRF7754TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager8.892
IRF7754TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager4
IRF7755 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1090pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager2.574
IRF7755GTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1090pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager8.118
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IRF7755TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1090pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager4.608
IRF7756 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager6.318
IRF7756GTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager8.604
IRF7756TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager5.904
IRF7756TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager7.776
IRF7757TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 15V Leistung - max: 1.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager6.156

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