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IRF7756GTRPBF

IRF7756GTRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7756GTRPBF
PNEDA Teilenummer IRF7756GTRPBF
Beschreibung MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Hersteller Infineon Technologies
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IRF7756GTRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7756GTRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
IRF7756GTRPBF, IRF7756GTRPBF Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 236,53 KB)
PDFIRF7756GTRPBF Datenblatt Cover
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IRF7756GTRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 10V
Leistung - max1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39.1mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 15V

Leistung - max

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V (1kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

308nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8700pF @ 25V

Leistung - max

694W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

195mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8 Dual

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

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30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

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780pF @ 15V

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