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MCMP06-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET P+SKY DFN2020-6U Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: P-Channel FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 15V Leistung - max: 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020-6U	Auf Lager5.778
MCQ4503-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays N&P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAG Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.3A, 8.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 25V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager7.128
MCQ4559-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays N&P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAG Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A, 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager5.616
MCQ4828A-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFETSOP- Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 30V Leistung - max: 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager283.710
MCQ7328-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays P-CHANNELMOSFETSOP-8 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.675nF @ 25V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager260.454
MKE38P600TLB IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 9-SMD Module Lieferantengerätepaket: ISOPLUS-SMPD™.B	Auf Lager6.120
MKE38P600TLB-TRR IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 9-SMD Module Lieferantengerätepaket: ISOPLUS-SMPD™.B	Auf Lager6.282
MMDF1N05ER2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager2.052
MMDF1N05ER2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager8.406
MMDF2C03HDR2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.1A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 24V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.472
MMDF2C03HDR2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.1A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 24V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager4.590
MMDF2N02ER2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 532pF @ 16V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager4.590
MMDF2N02ER2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 532pF @ 16V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager8.064
MMDF2P02ER2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 16V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.580
MMDF2P02HDR2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 16V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.184
MMDF2P02HDR2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 16V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.382
MMDF3N04HDR2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 32V Leistung - max: 1.39W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.022
MMDF3N04HDR2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 32V Leistung - max: 1.39W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager2.646
MMIX2F60N50P3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6250pF @ 25V Leistung - max: 320W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 24-SMD Module, 9 Leads Lieferantengerätepaket: 24-SMPD	Auf Lager7.452
MP6K11TCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.5A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 85pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: MPT6	Auf Lager8.244
MP6K12TCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: MPT6	Auf Lager8.964
MP6K13TCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: MPT6	Auf Lager6.534
MP6K14TCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: MPT6	Auf Lager2.322
MP6K31TCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: MPT6	Auf Lager3.294
MP6K31TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: MPT6	Auf Lager5.832
MP6M11TCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 85pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: MPT6	Auf Lager8.316
MP6M12TCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: MPT6	Auf Lager6.444
MP6M14TCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A, 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: MPT6	Auf Lager2.322
MTM684100LBF Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: WMini8-F1	Auf Lager7.668
MTM684110LBF Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8-F1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: WMini8-F1	Auf Lager8.838

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