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JAN2N1485 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 3A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/207 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 40mA, 750mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 750mA, 4V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-233AA, TO-8-3 Lens Top Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-8	Auf Lager2.538
JAN2N1486 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 55V 3A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/207 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 40mA, 750mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 750mA, 4V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-233AA, TO-8-3 Lens Top Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-8	Auf Lager6.444
JAN2N1489 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 6A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/208 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 300mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-33 (TO-204AA)	Auf Lager8.550
JAN2N1613 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.5A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/181 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager6.066
JAN2N1711 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.5A TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/225 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager86
JAN2N1893 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 0.5A TO-5 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/182 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager5.580
JAN2N1893S Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 0.5A TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/182 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager357
JAN2N2218 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.8A TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/251 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager6.390
JAN2N2218A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/251 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager8.424
JAN2N2218AL Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A TO5 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/251 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager3.490
JAN2N2219 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/251 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager2.286
JAN2N2219A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/251 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager8.298
JAN2N2219AL Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/251 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager5.166
JAN2N2221A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A TO18 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager4.320
JAN2N2221AL Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A TO18 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager5.598
JAN2N2221AUA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UA	Auf Lager2.844
JAN2N2221AUB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager8.028
JAN2N2222A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-218	Auf Lager3.418
JAN2N2222AL Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager5.670
JAN2N2222AUA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.538
JAN2N2222AUB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Non-Standard Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.718
JAN2N2369A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 15V TO18 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/317 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager6.606
JAN2N2369AUA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 15V Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/317 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager6.282
JAN2N2369AUB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 15V Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/317 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager6.030
JAN2N2432 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/313 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager6.444
JAN2N2432A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.1A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/313 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager4.302
JAN2N2484 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 0.05A TO18 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/376 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager3.544
JAN2N2484UA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 0.05A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/376 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UA	Auf Lager8.694
JAN2N2484UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 0.05A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/376 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager8.028
JAN2N2605 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 0.03A TO46 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/354 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-46-3	Auf Lager4.746

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