JAN2N2219A
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| Teilenummer | JAN2N2219A |
| PNEDA Teilenummer | JAN2N2219A |
| Beschreibung | TRANS NPN 50V 0.8A |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.298 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 22 - Feb 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JAN2N2219A Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JAN2N2219A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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JAN2N2219A Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/251 |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 800mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Leistung - max | 800mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-39 |
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Hersteller Micro Commercial Co Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 100mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 100mA, 2V Leistung - max 300mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92S |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223-4 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 250mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 250mA, 1V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-226 |
