Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 418/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
FZT957TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 1A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 300mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: 85MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager8.208
FZT957TC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 1A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 300mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: 85MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager5.076
FZT958TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 400V 0.5A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 300mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: 85MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager19.290
FZT958TC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 400V 0.5A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 300mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: 85MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager8.694
FZT968TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 12V 6A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 250mA, 6A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager19.920
FZT968TC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 12V 6A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 250mA, 6A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager7.236
FZTA14TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 30V 1A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 170MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager73.206
FZTA14TC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 30V 1A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 170MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager7.452
FZTA42TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 0.5A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager143.142
FZTA42TC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 0.5A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager4.752
FZTA92TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager7.164
FZTA92TC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 0.5A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager2.574
HCT2222A TT Electronics/Optek Technology	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN SMT Hersteller: TT Electronics/Optek Technology Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 4-SMD	Auf Lager4.518
HCT2222ATX TT Electronics/Optek Technology	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN SMT Hersteller: TT Electronics/Optek Technology Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 4-SMD	Auf Lager3.096
HCT2222ATXV TT Electronics/Optek Technology	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN SMT Hersteller: TT Electronics/Optek Technology Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 4-SMD	Auf Lager3.870
HD1520FX STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 700V 15A ISOWATT218FX Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 700V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.8A, 9A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 9A, 5V Leistung - max: 64W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOWATT218FX Lieferantengerätepaket: ISOWATT-218FX	Auf Lager6.822
HD1530FX STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 700V 26A ISOWATT218FX Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 26A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 700V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 3.25A, 13A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 13A, 5V Leistung - max: 70W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOWATT218FX Lieferantengerätepaket: ISOWATT-218FX	Auf Lager5.130
HD1530JL STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 700V 26A TO-264 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 26A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 700V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.25A, 13A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 13A, 5V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager6.894
HD1750FX STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 800V 24A ISOWATT218 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 24A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 800V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6.5 @ 12A, 5V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOWATT218FX Lieferantengerätepaket: ISOWATT-218FX	Auf Lager5.472
HD1750JL STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 800V 24A TO-264 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 24A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 800V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 12A, 5V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager2.592
HD1760JL STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 800V 36A TO-264 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 36A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 800V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 4.5A, 18A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 18A, 5V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager7.128
HM4033-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP SOT-89 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager5.562
HS2222A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.086
HS2369A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.982
HS2907A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.006
JAN2N1016B Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 7.5A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.150
JAN2N1016C Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 7.5A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.668
JAN2N1016D Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 7.5A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.160
JAN2N1479 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 1.5A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.276
JAN2N1482 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 55V 1.5A TO-5 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/207 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 200mA, 4V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager6.053

«
‹
1
...
415
416
417
418 (current)
419
420
421
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message