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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BSS64T116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single BSS64 IS A SOT-23 PACKAGE TRANSI Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager5.310
BSS79C ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 0.8A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.014
BST15,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 200V 0.2A SOT89 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1.3W Frequenz - Übergang: 15MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager7.974
BST15TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 200V 0.5A SOT-89 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 15MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager3.528
BST16,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 0.2A SOT89 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1.3W Frequenz - Übergang: 15MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager4.176
BST16TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 0.5A SOT-89 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 15MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager3.510
BST39,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 350V 0.1A SOT89 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Leistung - max: 1.3W Frequenz - Übergang: 70MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager5.130
BST39TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 350V 0.5A SOT-89 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 70MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager275.034
BST40TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 0.5A SC-62 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 70MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager6.480
BST50,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 45V 1A SOT89 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.3W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager94.368
BST51,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.3W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager4.482
BST51,135 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.3W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager33.006
BST51TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT-89 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager6.030
BST52,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 1A SOT89 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.3W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager44.436
BST52,135 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 1A SOT89 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.3W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager6.534
BST52TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT-89 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager27.432
BST60,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 45V 1A SOT89 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.3W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager12.456
BST61,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 1A SOT89 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.3W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager13.176
BST61TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 0.5A SOT-89 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager5.670
BST62,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 1A SOT89 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.3W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager108.612
BST62-70TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 72V 0.5A SOT89 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 72V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager2.808
BSV52 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 12V 0.2A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Leistung - max: 225mW Frequenz - Übergang: 400MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager3.726
BSV52,215 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 12V 0.1A SOT-23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Leistung - max: 250mW Frequenz - Übergang: 500MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager29.796
BSV52_D87Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 12V 0.2A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Leistung - max: 225mW Frequenz - Übergang: 400MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager6.570
BSV52LT1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 12V 0.1A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Leistung - max: 225mW Frequenz - Übergang: 400MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager2.772
BSV52LT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 12V 0.1A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Leistung - max: 225mW Frequenz - Übergang: 400MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager26.298
BSY79 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 1mA, 1V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager7.776
BU208A STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 700V 8A TO-3 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 700V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 7MHz Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager4.392
BU323Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 350V 10A TO-218 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-218-3 Lieferantengerätepaket: SOT-93	Auf Lager7.776
BU323ZG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 350V 10A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager16.164

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