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BST51,135

BST51,135

Nur als Referenz

Teilenummer BST51,135
PNEDA Teilenummer BST51-135
Beschreibung TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 33.006
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BST51 Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBST51,135
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BST51, BST51 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 56,9 KB)
PDFBST51 Datenblatt Cover
BST51 Datenblatt Seite 2 BST51 Datenblatt Seite 3 BST51 Datenblatt Seite 4 BST51 Datenblatt Seite 5 BST51 Datenblatt Seite 6 BST51 Datenblatt Seite 7 BST51 Datenblatt Seite 8

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BST51 Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.3V @ 500µA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)50nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce2000 @ 500mA, 10V
Leistung - max1.3W
Frequenz - Übergang200MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

150V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

KSC5402DTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

525V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 200mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

6 @ 1A, 1V

Leistung - max

30W

Frequenz - Übergang

11MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

2SC2655-Y,T6WNLF(J

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

Leistung - max

900mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Lieferantengerätepaket

TO-92MOD

BC307BTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 5V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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TO-92-3

2SB1215S-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 150mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

140 @ 500mA, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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