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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BUH50 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 500V 4A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 500V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 2A, 5V Leistung - max: 50W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.046
BUH50G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 500V 4A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 500V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 2A, 5V Leistung - max: 50W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.750
BUH51 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 500V 3A TO-225 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 500V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 1A, 1V Leistung - max: 50W Frequenz - Übergang: 23MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager5.472
BUH51G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 500V 3A TO-225 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 500V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 1A, 1V Leistung - max: 50W Frequenz - Übergang: 23MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager3.400
BUJ100,126 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 1A TO92 Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 750mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 9 @ 750mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.086
BUJ100,412 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 1A TO92 Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 750mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 9 @ 750mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.436
BUJ100LR,126 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 1A TO-92 Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V Leistung - max: 2.1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.874
BUJ100LR,412 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 1A TO-92 Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V Leistung - max: 2.1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.968
BUJ103A,127 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 4A TO220AB Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager5.490
BUJ103AD,118 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 4A DPAK Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager8.712
BUJ103AX,127 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 4A TO-220F Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 12 @ 500mA, 5V Leistung - max: 26W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket: TO-220F	Auf Lager6.282
BUJ105A,127 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 8A TO220AB Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.874
BUJ105AB,118 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 8A D2PAK Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager6.462
BUJ105AD,118 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 8A DPAK Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager3.510
BUJ106A,127 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 10A TO220AB Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.2A, 6A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.164
BUJ302A,127 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 4A TO220AB Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager3.150
BUJ302AD,118 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 4A DPAK Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager57.582
BUJ302AX,127 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 4A TO-220F Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V Leistung - max: 26W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket: TO-220F	Auf Lager7.812
BUJ303A,127 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 500V 5A TO220AB Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 500V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V Leistung - max: 100W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager26.634
BUJ303AX,127 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 500V 5A TO-220F Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 500V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 5mA, 5V Leistung - max: 32W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket: TO-220F	Auf Lager6.750
BUJ303B,127 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 5A TO220AB Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 23 @ 800mA, 3V Leistung - max: 100W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager3.996
BUJ303CD,118 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 5A DPAK Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 28 @ 10mA, 3V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager2.970
BUJ403A,127 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 550V 6A TO220AB Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 550V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Leistung - max: 100W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager3.492
BUJ403A/DG,127 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 550V 6A TO220AB Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 550V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Leistung - max: 100W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.002
BUJD103AD,118 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 4A DPAK Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager2.196
BUJD105AD,118 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 8A DPAK Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager5.292
BUJD203A,127 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 425V 4A TO220AB Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 425V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.102
BUJD203AD,118 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 425V 4A DPAK Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 425V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager3.654
BUJD203AX,127 WeEn Semiconductors	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 425V 4A TO-220F Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 425V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V Leistung - max: 26W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket: TO-220F	Auf Lager7.830
BUK762R6-40E/GFJ NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single MOSFET N-CH D2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.636

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