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BC337TF ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.642
BC337TFR ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.346
BC337ZL1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.582
BC337ZL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.880
BC338 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.876
BC338-16 A1G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 100A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager6.678
BC338-16-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP TO-92 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager7.632
BC338-16 B1G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 100A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager3.150
BC33816BU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.844
BC33816TA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.694
BC338-25 A1G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 160A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager7.452
BC338-25-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP TO-92 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager8.172
BC338-25 B1G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 160A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager8.838
BC33825BU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.616
BC33825TA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.668
BC338-25ZL1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.668
BC338-25ZL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.590
BC338-40 A1G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 250A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager2.646
BC338-40-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP TO-92 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 300mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager6.534
BC338-40 B1G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 250A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager7.686
BC33840BU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.192
BC33840TA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.582
BC338BU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.796
BC338_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.046
BC338TF ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.140
BC338TFR ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.280
BC368 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 20V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 65MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.420
BC368,112 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 20V 1A TO-92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 170MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.214
BC368,126 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 20V 1A TO-92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 170MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.434
BC368_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 20V 2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 45MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.232

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