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BC368,126

BC368,126

Nur als Referenz

Teilenummer BC368,126
PNEDA Teilenummer BC368-126
Beschreibung TRANS NPN 20V 1A TO-92
Hersteller NXP
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BC368 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC368,126
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BC368, BC368 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 136,93 KB)
PDFBC368 Datenblatt Cover
BC368 Datenblatt Seite 2 BC368 Datenblatt Seite 3 BC368 Datenblatt Seite 4 BC368 Datenblatt Seite 5 BC368 Datenblatt Seite 6 BC368 Datenblatt Seite 7 BC368 Datenblatt Seite 8 BC368 Datenblatt Seite 9

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BC368 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce85 @ 500mA, 1V
Leistung - max830mW
Frequenz - Übergang170MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 10V

Leistung - max

40W

Frequenz - Übergang

10MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

STD03P

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

160V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 10mA, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5000 @ 10A, 4V

Leistung - max

160W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-5

Lieferantengerätepaket

TO-3P-5L

JAN2N6249T1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/510

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

200V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 10A, 3V

Leistung - max

6W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-254AA

FZT491TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

2N3998

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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