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BC337-025 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.304
BC337-025G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.328
BC337-040 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.400
BC337-040G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.650
BC337,112 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.5A TO-92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.358
BC337,116 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.5A TO-92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.374
BC337,126 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.5A TO-92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.058
BC33716 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.654
BC337-16,112 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.5A TO-92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.298
BC337-16,126 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.5A TO92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.346
BC337-16 A1G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.8A, 100A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager3.222
BC337-16-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager33.900
BC337-16 B1G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.8A, 100A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager5.418
BC33716BU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager57.798
BC33716_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.852
BC337-16RL1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.640
BC337-16RL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.650
BC33716TA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager49.068
BC33716TAR ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.484
BC33716TF ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.322
BC33716TFR ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.122
BC337-16ZL1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.786
BC337-16ZL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.626
BC33725 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.146
BC337-25,112 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.5A TO92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.272
BC337-25,116 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.5A TO-92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.364
BC337-25,126 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.5A TO92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.798
BC337-25 A1G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.8A, 160A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager5.850
BC337-25-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager149.796
BC337-25 B1G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.8A, 160A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager3.526

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