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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2SC3328-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 80V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: LSTM	Auf Lager6.930
2SC3328-Y,T6CKF(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 80V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: LSTM	Auf Lager4.896
2SC3332R ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 0.7A 160V Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: 3-NP	Auf Lager3.078
2SC3332R-AA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 0.7A 160V Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: 3-NP	Auf Lager6.624
2SC3332S ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 160V 0.7A NP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Leistung - max: 700mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: 3-NP	Auf Lager2.574
2SC3332S-AA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 160V 0.7A NP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 700mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: 3-NP	Auf Lager5.166
2SC3332T ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 160V 0.7A NP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Leistung - max: 700mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: 3-NP	Auf Lager7.668
2SC3332T-AA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 160V 0.7A NP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 700mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: 3-NP	Auf Lager4.014
2SC3415STPN Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 0.1A 3PIN SPT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Formed Leads Lieferantengerätepaket: SPT	Auf Lager5.490
2SC3415STPP Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 0.1A 3PIN SPT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Formed Leads Lieferantengerätepaket: SPT	Auf Lager3.544
2SC3503CSTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 0.1A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V Leistung - max: 7W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager7.362
2SC3503DSTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 0.1A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V Leistung - max: 7W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager3.060
2SC3503ESTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 0.1A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Leistung - max: 7W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager6.318
2SC3503FSTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 0.1A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 10V Leistung - max: 7W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager4.698
2SC3506 Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 800V 3A TOP-3F Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 800V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 5V Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TOP-3F Lieferantengerätepaket: TOP-3F-A1	Auf Lager5.760
2SC3507 Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 800V 5A TOP-3F Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 800V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 5V Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: 6MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TOP-3F Lieferantengerätepaket: TOP-3F-A1	Auf Lager3.672
2SC3519 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 160V 15A TO3P Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V Leistung - max: 130W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager29.340
2SC3519A Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 180V 15A TO-3P Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 180V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V Leistung - max: 130W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager23.160
2SC3526H Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.15A TO-92L Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92L-A1	Auf Lager6.696
2SC3611 Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.15A TO-126 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Leistung - max: 4W Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126B-A1	Auf Lager5.976
2SC3624-T1B-A Renesas Electronics America	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.15A Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1mA, 5V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SC-59	Auf Lager8.442
2SC3646S-P-TD-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 1A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: PCP	Auf Lager3.454
2SC3646S-TD-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 1A SOT89-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: PCP	Auf Lager5.616
2SC3646T-P-TD-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 1A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: PCP	Auf Lager2.412
2SC3646T-TD-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 1A SOT89-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: PCP	Auf Lager14.910
2SC3647S-TD-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 2A SOT89-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: PCP	Auf Lager8.280
2SC3647T-TD-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 2A SOT89-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: PCP	Auf Lager28.260
2SC3648S-TD-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 160V 0.7A SOT89-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: PCP	Auf Lager27.168
2SC3648T-TD-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 160V 0.7A SOT89-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: PCP	Auf Lager31.380
2SC3649S-TD-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 160V 1.5A SOT89-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: PCP	Auf Lager7.830

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