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2SC24970Q Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 1.5A TO-126 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Leistung - max: 1.2W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126B-A1	Auf Lager2.934
2SC24970R Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 1.5A TO-126 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V Leistung - max: 1.2W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126B-A1	Auf Lager4.374
2SC2497AQ Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 1.5A TO-126 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Leistung - max: 1.2W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126B-A1	Auf Lager7.902
2SC25900Q Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 120V 0.5A TO-126 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1.2W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126B-A1	Auf Lager2.826
2SC26310RA Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 0.05A TO-92 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V Leistung - max: 750mW Frequenz - Übergang: 160MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-B1	Auf Lager6.174
2SC26320R Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 0.05A TO-92L Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 160MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92L-A1	Auf Lager6.804
2SC2655L-O-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager5.544
2SC2655L-Y-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager3.078
2SC2655-O-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager4.392
2SC2655-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager3.780
2SC2655-O(ND1,AF) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager4.284
2SC2655-O(ND2,AF) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager8.172
2SC2655-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager8.496
2SC2655-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager5.076
2SC2655-Y-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager6.678
2SC2655-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager3.276
2SC2655-Y(HIT,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager2.628
2SC2655-Y,T6APNF(M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager3.420
2SC2655-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager7.092
2SC2655-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager3.240
2SC2655-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager4.842
2SC2655-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager5.202
2SC2655-Y(T6ND1,AF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager5.058
2SC2655-Y(T6ND2,AF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager7.650
2SC2655-Y(T6ND3,AF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager4.428
2SC2655-Y(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager7.470
2SC2655-Y(T6STL,FM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager8.694
2SC2655-Y,T6SWFF(M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager8.892
2SC2655-Y(T6TOJ,FM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager7.542
2SC2655-Y,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager6.354

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