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Seite 232/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2SC2655-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager5.526
2SC2655-Y,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 50V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager7.632
2SC2668-O-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 550MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92S	Auf Lager2.322
2SC2668-R-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 550MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92S	Auf Lager3.834
2SC2668-Y-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 550MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92S	Auf Lager2.430
2SC2705-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: LSTM	Auf Lager2.520
2SC2705-O(TPE6,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: LSTM	Auf Lager7.920
2SC2705-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 0.05A TO-92 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: LSTM	Auf Lager8.010
2SC2712-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager2.538
2SC2712-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager281.592
2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236	Auf Lager6.174
2SC2712-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager84.600
2SC2713-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236	Auf Lager7.524
2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236	Auf Lager74.946
2SC2812N6-CPA-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.15A CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CP	Auf Lager4.176
2SC2812N6-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.15A CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CP	Auf Lager5.652
2SC2837 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 10A TO-3P Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 3V, 4V Leistung - max: 100W Frequenz - Übergang: 70MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager19.536
2SC2859-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager7.992
2SC2859-GR-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager2.502
2SC2859-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager6.030
2SC2859-O-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager7.632
2SC2859-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager5.598
2SC2881-O-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PREBIAS NPN 120V SOT89 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager4.356
2SC2883-O-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager5.076
2SC2921 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 160V 15A MT200 Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-ESIP Lieferantengerätepaket: MT-200	Auf Lager6.672
2SC2922 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 180V 17A MT-200 Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 17A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 180V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 8V, 4V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-ESIP Lieferantengerätepaket: MT-200	Auf Lager8.082
2SC29250SA Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.7A TO-92 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 600 @ 150mA, 10V Leistung - max: 750mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-B1	Auf Lager8.244
2SC2983-O-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager8.496
2SC2983-Y-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 160V 1.5A DPAK Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager6.804
2SC2988 Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 16V 0.5A TO-126 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 13.5V Leistung - max: 5W Frequenz - Übergang: 1GHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126B-A1	Auf Lager6.642

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