Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

Transistoren

Datensätze 64.903
Seite 1955/2164
Bild
Teilenummer
Beschreibung
Auf Lager
Menge
APTGF90DA60CT1G
APTGF90DA60CT1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 416W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager6.606
APTGF90DA60D1G
APTGF90DA60D1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 130A 445W D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 130A
  • Leistung - max: 445W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
Auf Lager6.498
APTGF90DA60T1G
APTGF90DA60T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 110A 416W SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 416W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager5.796
APTGF90DA60TG
APTGF90DA60TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 110A 416W SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 416W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager5.238
APTGF90DH60T3G
APTGF90DH60T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Asymmetrical Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 416W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager4.770
APTGF90DH60TG
APTGF90DH60TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Asymmetrical Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 416W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager8.442
APTGF90DU60TG
APTGF90DU60TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE NPT DUAL SOURCE SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Dual, Common Source
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 416W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager7.560
APTGF90H60T3G
APTGF90H60T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Full Bridge Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A
  • Leistung - max: 416W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager8.964
APTGF90H60TG
APTGF90H60TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Full Bridge Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 416W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager4.428
APTGF90SK60D1G
APTGF90SK60D1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 130A 445W D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 130A
  • Leistung - max: 445W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
Auf Lager8.712
APTGF90SK60T1G
APTGF90SK60T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 110A 416W SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 416W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager5.400
APTGF90SK60TG
APTGF90SK60TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 110A 416W SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 416W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager2.250
APTGF90TA60PG
APTGF90TA60PG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Three Phase
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 416W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6-P
Auf Lager3.114
APTGF90TDU60PG
APTGF90TDU60PG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE NPT TRPLE DUAL SP6P

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Triple, Dual - Common Source
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 416W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6-P
Auf Lager4.788
APTGFQ25H120T2G
APTGFQ25H120T2G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 40A 227W MODULE

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT and Fieldstop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A
  • Leistung - max: 227W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.02nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SP2
  • Lieferantengerätepaket: SP2
Auf Lager4.104
APTGL120TA120TPG
APTGL120TA120TPG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT4 PHASE LEG 1200V 140A SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Three Phase
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 140A
  • Leistung - max: 517W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6-P
Auf Lager2.682
APTGL120TDU120TPG
APTGL120TDU120TPG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 140A SP6-P

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Triple, Dual - Common Source
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 140A
  • Leistung - max: 517W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: SP6-P
Auf Lager3.600
APTGL180A1202G
APTGL180A1202G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A
  • Leistung - max: 750W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP2
  • Lieferantengerätepaket: SP2
Auf Lager7.848
APTGL180A120T3AG
APTGL180A120T3AG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT ARRAY 1200V 230A 940W SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 230A
  • Leistung - max: 940W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager6.264
APTGL240TL120G
APTGL240TL120G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MOD IGBT4 3LVL INVERT SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Three Level Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 305A
  • Leistung - max: 1000W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager238
APTGL325A120D3G
APTGL325A120D3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT4 PHASE LEG 1200V 420A D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 420A
  • Leistung - max: 1500W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 18.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager3.438
APTGL325DA120D3G
APTGL325DA120D3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 420A 1500W D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 420A
  • Leistung - max: 1500W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 18.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager4.284
APTGL325SK120D3G
APTGL325SK120D3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 420A 1500W D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 420A
  • Leistung - max: 1500W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 18.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager7.722
APTGL40H120T1G
APTGL40H120T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 65A SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A
  • Leistung - max: 220W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.95nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager4.284
APTGL40X120T3G
APTGL40X120T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 65A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A
  • Leistung - max: 220W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.95nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager4.878
APTGL475A120D3G
APTGL475A120D3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MOD IGBT4 PHASE LEG D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 610A
  • Leistung - max: 2080W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager7.362
APTGL475DA120D3G
APTGL475DA120D3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 610A 2080W D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 610A
  • Leistung - max: 2080W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager8.154
APTGL475SK120D3G
APTGL475SK120D3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 610A 2080W D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 610A
  • Leistung - max: 2080W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager3.240
APTGL475U120D4G
APTGL475U120D4G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 610A
  • Leistung - max: 2082W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 4mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D4
  • Lieferantengerätepaket: D4
Auf Lager7.722
APTGL475U120DAG
APTGL475U120DAG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 610A
  • Leistung - max: 2307W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 4mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager1