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APTGF50DH120TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager7.146
APTGF50DH60T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager2.808
APTGF50DH60TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager6.426
APTGF50DSK120T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Dual Buck Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A Leistung - max: 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager2.106
APTGF50DSK60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT BUCK CHOP SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Dual Buck Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager2.736
APTGF50DU120TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT DUAL SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager7.434
APTGF50H120TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager8.982
APTGF50H60T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager2.124
APTGF50H60T2G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager5.832
APTGF50H60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MODULE IGBT 600V 50A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager4.860
APTGF50SK120T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 75A 312W SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager7.650
APTGF50SK120TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 75A 312W SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager8.784
APTGF50TA120PG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Three Phase Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager7.002
APTGF50TDU120PG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT TRPL DUAL SP6-P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Triple, Dual - Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager5.274
APTGF50TL60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT ARRAY 600V 65A 250W SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Three Level Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager6.678
APTGF50VDA120T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Dual Boost Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A Leistung - max: 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager3.204
APTGF50VDA60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Dual Boost Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager3.204
APTGF50X60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager3.546
APTGF530U120D4G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 700A 3900W D4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700A Leistung - max: 3900W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D4 Lieferantengerätepaket: D4	Auf Lager5.616
APTGF660U60D4G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 600V 860A 2800W D4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 860A Leistung - max: 2800W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 800A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 36nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D4 Lieferantengerätepaket: D4	Auf Lager7.038
APTGF75DA120T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 100A 500W SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager5.310
APTGF75DA60D1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 600V 100A 355W D1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 355W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D1 Lieferantengerätepaket: D1	Auf Lager5.076
APTGF75DDA120TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT BOOST CHOP SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager7.452
APTGF75DH120TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager6.462
APTGF75DSK120TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT BUCK CHOP SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager7.794
APTGF75H120TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MODULE IGBT 1200V 75A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager3.078
APTGF75SK60D1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 600V 100A 355W D1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 355W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D1 Lieferantengerätepaket: D1	Auf Lager4.176
APTGF90A60D1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT PHASE LEG D1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Leistung - max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D1 Lieferantengerätepaket: D1	Auf Lager2.106
APTGF90A60T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A Leistung - max: 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager6.786
APTGF90A60TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A Leistung - max: 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager8.388

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