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Seite 1952/2164

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APTGF150SK120TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 200A 961W SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A Leistung - max: 961W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager5.796
APTGF15A120T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT PHASE 1200V SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Leistung - max: 140W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager2.034
APTGF15H120T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Leistung - max: 140W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager2.898
APTGF15H120T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Leistung - max: 140W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager3.312
APTGF15X120T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Leistung - max: 140W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager6.822
APTGF165A60D1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT NPT PHASE 600V 230A D1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 230A Leistung - max: 781W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D1 Lieferantengerätepaket: D1	Auf Lager6.480
APTGF165DA60D1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 600V 230A 730W D1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 230A Leistung - max: 730W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D1 Lieferantengerätepaket: D1	Auf Lager2.100
APTGF165SK60D1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 600V 230A 730W D1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 230A Leistung - max: 730W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D1 Lieferantengerätepaket: D1	Auf Lager2.412
APTGF180A60TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A Leistung - max: 833W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager7.866
APTGF180DA60TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 600V 220A 833W SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A Leistung - max: 833W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager4.608
APTGF180DH60G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MODULE IGBT 600V 180A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A Leistung - max: 833W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager2.394
APTGF180DU60TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT DUAL SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A Leistung - max: 833W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager2.826
APTGF180H60G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A Leistung - max: 833W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager2.646
APTGF180SK60TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 600V 220A 833W SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A Leistung - max: 833W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager5.904
APTGF200A120D3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300A Leistung - max: 1400W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D-3 Module Lieferantengerätepaket: D3	Auf Lager4.104
APTGF200DA120D3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 300A 1400W D3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300A Leistung - max: 1400W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D-3 Module Lieferantengerätepaket: D3	Auf Lager3.114
APTGF200SK120D3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 300A 1400W D3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300A Leistung - max: 1400W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D-3 Module Lieferantengerätepaket: D3	Auf Lager6.552
APTGF200U120DG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 275A 1136W SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 275A Leistung - max: 1136W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13.8nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager5.706
APTGF250A60D3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400A Leistung - max: 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D-3 Module Lieferantengerätepaket: D3	Auf Lager5.814
APTGF250DA60D3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 600V 400A 1250W D3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400A Leistung - max: 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D-3 Module Lieferantengerätepaket: D3	Auf Lager4.608
APTGF250SK60D3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 600V 400A 1250W D3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400A Leistung - max: 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D-3 Module Lieferantengerätepaket: D3	Auf Lager4.122
APTGF25A120T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Leistung - max: 208W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager3.420
APTGF25DDA120T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT DL BST CHOP SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Dual Boost Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Leistung - max: 208W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager4.212
APTGF25DSK120T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT DL BCK CHOP SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Dual Buck Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Leistung - max: 208W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager5.292
APTGF25H120T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Leistung - max: 208W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager2.196
APTGF25H120T2G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module MOD IGBT NPT 1200V 40V SP2 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Leistung - max: 208W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP2 Lieferantengerätepaket: SP2	Auf Lager8.928
APTGF25H120T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Leistung - max: 208W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager8.478
APTGF25X120T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Leistung - max: 208W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager6.732
APTGF300A120D3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 420A Leistung - max: 2100W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D-3 Module Lieferantengerätepaket: D3	Auf Lager4.608
APTGF300A120G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400A Leistung - max: 1780W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6	Auf Lager2.178

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