Transistoren

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NTP13N10 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 13A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 64.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.146
NTP13N10G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 13A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 64.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.994
NTP150N65S3HF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 24A Hersteller: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1985pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 192W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager18.684
NTP18N06 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.636
NTP18N06G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.232
NTP18N06L ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager4.050
NTP18N06LG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.786
NTP190N65S3HF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SUPERFET3 650V FRFET,190M Hersteller: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 162W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.568
NTP22N06 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.676
NTP22N06L ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 11A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.222
NTP27N06 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1015pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 88.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.156
NTP27N06G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1015pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 88.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager4.770
NTP27N06L ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 13.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 88.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager4.572
NTP2955 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.222
NTP2955G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager18.084
NTP30N06 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 88.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.678
NTP30N06L ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 88.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.258
NTP30N06LG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 88.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.262
NTP30N20G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2335pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 214W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager4.536
NTP35N15G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 37A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 178W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.622
NTP4302 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 74A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 74A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 24V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 80W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.994
NTP4302G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 74A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 74A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 24V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 80W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.328
NTP45N06 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1725pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 125W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager4.428
NTP45N06G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1725pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 125W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.268
NTP45N06L ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 125W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.652
NTP45N06LG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 125W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.920
NTP4813NLG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 40A TO220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 895pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.862
NTP52N10 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 214W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.794
NTP52N10G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 214W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.142
NTP5404NRG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 136A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Ta), 167A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 32V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.4W (Ta), 254W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.654

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