NTP190N65S3HF
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| Teilenummer | NTP190N65S3HF |
| PNEDA Teilenummer | NTP190N65S3HF |
| Beschreibung | SUPERFET3 650V FRFET,190M |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.568 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTP190N65S3HF Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTP190N65S3HF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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NTP190N65S3HF Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | FRFET®, SuperFET® III |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 430µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1610pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 162W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-CPH Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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