Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
NTMS4939NR2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager7.002
NTMS4N01R2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 770mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager3.330
NTMS4P01R2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 9.6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 790mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager3.348
NTMS5835NLR2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2115pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager3.168
NTMS5838NLR2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager3.438
NTMS5P02R2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.95A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 790mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.424
NTMS5P02R2SG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.95A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 790mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.698
NTMS7N03R2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.118
NTMS7N03R2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager24.324
NTMSD2P102LR2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: FETKY™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 710mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager7.614
NTMSD2P102LR2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: FETKY™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 710mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager2.100
NTMSD2P102R2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.014
NTMSD2P102R2SG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.910
NTMSD3P102R2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: FETKY™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.34A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 730mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager2.100
NTMSD3P102R2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: FETKY™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.34A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 730mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager5.922
NTMSD3P102R2SG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: FETKY™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.34A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 730mW (Ta) Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.136
NTMSD3P303R2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: FETKY™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.34A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 24V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 730mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager2.952
NTMSD6N303R2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: FETKY™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.244
NTMSD6N303R2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: FETKY™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager5.166
NTMSD6N303R2SG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: FETKY™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager3.906
NTMTS001N06CLTXG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSI Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 398.2A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.906
NTMTS001N06CTXG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single T6 60V SG PQFN8*8 EXPANSI Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53.7A (Ta), 376A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8705pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Ta), 244W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-DFNW (8.3x8.4) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.886
NTMTS0D4N04CLTXG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 8PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.484
NTMTS0D4N04CTXG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 8PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.798
NTMTS0D6N04CLTXG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 554.5A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16013pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.622
NTMTS0D6N04CTXG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSI Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 533A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11800pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.736
NTMTS0D7N04CLTXG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 8PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.174
NTMTS0D7N04CTXG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 8PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.286
NTMTS0D7N06CLTXG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 8PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.618
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