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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
JANTXV2N6802U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/557 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 18-ULCC (9.14x7.49) Paket / Fall: 18-CLCC	Auf Lager6.102
JANTXV2N6804 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 11A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/562 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-204AA (TO-3) Paket / Fall: TO-204AA, TO-3	Auf Lager4.086
JANTXV2N6849 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 6.5A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/564 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-205AF (TO-39) Paket / Fall: TO-205AF Metal Can	Auf Lager7.290
JANTXV2N6849U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 6.5A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/564 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 18-ULCC (9.14x7.49) Paket / Fall: 18-CLCC	Auf Lager7.704
JANTXV2N6898 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3 Paket / Fall: TO-204AA, TO-3	Auf Lager3.996
JANTXV2N6901 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.69A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/570 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.69A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.07A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8.33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-205AF (TO-39) Paket / Fall: TO-205AF Metal Can	Auf Lager6.282
JANTXV2N7224 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 34A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/592 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-254AA Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	Auf Lager275
JANTXV2N7224U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 34A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/592 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-267AB Paket / Fall: TO-267AB	Auf Lager3.418
JANTXV2N7225 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/592 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 27.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-254AA Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	Auf Lager3.955
JANTXV2N7225U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/592 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 27.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-267AB Paket / Fall: TO-267AB	Auf Lager6.768
JANTXV2N7227 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/592 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-254AA Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	Auf Lager2.178
JANTXV2N7227U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/592 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-267AB Paket / Fall: TO-267AB	Auf Lager6.570
JANTXV2N7228 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/592 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-254AA Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	Auf Lager3.852
JANTXV2N7228U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/592 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-267AB Paket / Fall: TO-267AB	Auf Lager8.568
JANTXV2N7236 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 18A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/595 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-254AA Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	Auf Lager4.752
JANTXV2N7236U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 18A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/595 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-267AB Paket / Fall: TO-267AB	Auf Lager5.922
KGF12N05-400-SP Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single IC MOSFET N-CH Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 5.5V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 3.5V Vgs (Max): ±5.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 5.5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WLCSP (1.47x1.47) Paket / Fall: 6-SMD, No Lead	Auf Lager4.482
LND01K1-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 9V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 330mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): +0.6V, -12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 5V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -25°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-5 Paket / Fall: SC-74A, SOT-753	Auf Lager2.934
LND150K1-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager155.172
LND150N3-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 740mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager21.192
LND150N3-G-P002 Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 740mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager8.820
LND150N3-G-P003 Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 740mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager5.256
LND150N3-G-P013 Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 740mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager6.354
LND150N3-G-P014 Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 740mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager2.862
LND150N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89-3 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager31.872
LND250K1-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager46.038
LP0701LG-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 16.5V 0.7A 8SOIC Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 16.5V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 700mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1.1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager2.376
LP0701N3-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 16.5V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager12.798
LSIC1MO120E0080 Littelfuse	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3 Hersteller: Littelfuse Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 39A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 20V Vgs (Max): +22V, -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1825pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 179W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.852
LSIC1MO120E0120 Littelfuse	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3 Hersteller: Littelfuse Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 20V Vgs (Max): +22V, -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1125pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 139W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager17.532

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