LSIC1MO120E0120
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| Teilenummer | LSIC1MO120E0120 |
| PNEDA Teilenummer | LSIC1MO120E0120 |
| Beschreibung | SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3 |
| Hersteller | Littelfuse |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 17.532 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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LSIC1MO120E0120 Ressourcen
| Marke | Littelfuse |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | LSIC1MO120E0120 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
LSIC1MO120E0120, LSIC1MO120E0120 Datenblatt
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LSIC1MO120E0120 Technische Daten
| Hersteller | Littelfuse Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 27A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 14A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1125pF @ 800V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 139W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13900pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-VSON-CLIP (5x6) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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