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Seite 1556/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
JAN2N6849 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/564 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-39 Paket / Fall: TO-205AF Metal Can	Auf Lager8.892
JAN2N6849U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 18-LCC Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/564 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 18-ULCC (9.14x7.49) Paket / Fall: 18-CLCC	Auf Lager3.402
JAN2N6898 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3 Paket / Fall: TO-204AA, TO-3	Auf Lager6.282
JAN2N6901 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/570 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.69A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.07A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8.33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-205AF (TO-39) Paket / Fall: TO-205AF Metal Can	Auf Lager2.880
JAN2N7224 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-254AA Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/592 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-254AA Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	Auf Lager6.516
JAN2N7224U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-267AB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/592 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-267AB Paket / Fall: TO-267AB	Auf Lager8.082
JAN2N7225 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-254AA Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/592 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 27.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-254AA Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	Auf Lager2.196
JAN2N7225U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-267AB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/592 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 27.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-267AB Paket / Fall: TO-267AB	Auf Lager2.232
JAN2N7227 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-254AA Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/592 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-254AA Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	Auf Lager4.626
JAN2N7227U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-267AB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/592 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-267AB Paket / Fall: TO-267AB	Auf Lager7.902
JAN2N7228 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-254AA Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/592 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-254AA Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	Auf Lager5.094
JAN2N7228U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-267AB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/592 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-267AB Paket / Fall: TO-267AB	Auf Lager5.382
JAN2N7236 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 18A TO-254AA Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/595 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-254AA Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	Auf Lager4.374
JAN2N7236U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 18A TO-267AB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/595 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-267AB Paket / Fall: TO-267AB	Auf Lager3.834
JANSF2N7383 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single P CHANNEL MOSFET TO-257 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.240
JANSR2N7261U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N CHANNEL MOSFET LCC-18 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/601 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 8A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 12V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 18-ULCC (9.14x7.49) Paket / Fall: 18-CLCC	Auf Lager6.408
JANSR2N7262U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N CHANNEL MOSFET LCC-18 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/601 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 5.5A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 12V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 18-ULCC (9.14x7.49) Paket / Fall: 18-CLCC	Auf Lager5.292
JANSR2N7268U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N CHANNEL MOSFET SMD-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/603 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 34A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 12V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: U1 (SMD-1) Paket / Fall: 3-SMD, No Lead	Auf Lager3.132
JANSR2N7269 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N CHANNEL MOSFET TO-254 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/603 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 26A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 12V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-254AA Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	Auf Lager4.194
JANSR2N7269U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N CHANNEL MOSFET SMD-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/603 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 26A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 12V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: U1 (SMD-1) Paket / Fall: 3-SMD, No Lead	Auf Lager3.024
JANSR2N7380 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/614 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14.4A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 12V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-257 Paket / Fall: TO-257-3	Auf Lager5.976
JANSR2N7381 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/614 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 9.4A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 12V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-257 Paket / Fall: TO-257-3	Auf Lager2.358
JANSR2N7389 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single P CHANNEL MOSFET TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/630 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 12V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-205AF (TO-39) Paket / Fall: TO-205AF Metal Can	Auf Lager7.740
JANSR2N7389U Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single P CHANNEL MOSFET LCC-18 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/630 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 12V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 18-ULCC (9.14x7.49) Paket / Fall: 18-CLCC	Auf Lager6.516
JANTX2N6756 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-204AA TO-3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/542 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-204AA Paket / Fall: TO-204AA, TO-3	Auf Lager2.502
JANTX2N6758 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-204AA TO-3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/542 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-204AA (TO-3) Paket / Fall: TO-204AA, TO-3	Auf Lager221
JANTX2N6760 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-204AA TO-3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/542 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-204AA (TO-3) Paket / Fall: TO-204AA, TO-3	Auf Lager4.320
JANTX2N6762 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-204AA TO-3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/542 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-204AA (TO-3) Paket / Fall: TO-204AA, TO-3	Auf Lager5.706
JANTX2N6764 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/543 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3 Paket / Fall: TO-204AE	Auf Lager277
JANTX2N6764T1 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-254AA Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/543 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-254AA Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	Auf Lager4.338

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