Transistoren

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IXTY1R6N100D2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 645pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager13.848
IXTY1R6N50D2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 645pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.626
IXTY1R6N50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK Hersteller: IXYS Serie: PolarHV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 43W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.462
IXTY24N15T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 24A TO-252 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.442
IXTY26P10T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 26A TO-252 Hersteller: IXYS Serie: TrenchP™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3820pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.946
IXTY2N100P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252 Hersteller: IXYS Serie: Polar™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 86W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.024
IXTY2N60P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK Hersteller: IXYS Serie: Polar™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.644
IXTY2N65X2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.024
IXTY2N80P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA Hersteller: IXYS Serie: PolarHV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 70W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.508
IXTY2R4N50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK Hersteller: IXYS Serie: PolarHV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.796
IXTY32P05T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 50V 32A TO-252 Hersteller: IXYS Serie: TrenchP™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.762
IXTY3N50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK Hersteller: IXYS Serie: PolarHV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 409pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 70W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.024
IXTY3N60P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK Hersteller: IXYS Serie: PolarHV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 411pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 70W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.046
IXTY44N10T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 44A TO-252 Hersteller: IXYS Serie: TrenchMV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1262pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 130W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.750
IXTY48P05T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 50V 48A TO-252 Hersteller: IXYS Serie: TrenchP™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3660pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.866
IXTY4N60P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-252 Hersteller: IXYS Serie: PolarHV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 89W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.214
IXTY4N65X2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 80W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.010
IXTY50N085T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 85V 50A TO-252 Hersteller: IXYS Serie: TrenchMV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 85V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1460pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 130W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.358
IXTY55N075T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 55A TO-252 Hersteller: IXYS Serie: TrenchMV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 27.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 130W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.380
IXTY5N50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252AA Hersteller: IXYS Serie: PolarHV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 89W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.984
IXTY64N055T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 64A TO-252 Hersteller: IXYS Serie: TrenchMV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 64A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1420pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 130W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.732
IXTY8N65X2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-252 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.840
IXTY8N70X2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.264
IXTZ550N055T2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 550A DE475 Hersteller: IXYS Serie: FRFET®, SupreMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 550A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DE475 Paket / Fall: DE475	Auf Lager4.392
IXUC100N055 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 100A ISOPLUS-220 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager8.028
IXUC160N075 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager7.902
IXUC200N055 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS-220 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager7.434
IXUN280N10 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 140A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 440nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 770W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager4.824
IXUN350N10 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 350A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 175A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 27000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 830W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227B Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager5.310
IXUV170N075 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 175A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS220 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager4.554

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