Transistoren

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APTM10SKM02G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 495A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 495A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1360nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1250W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager5.364
APTM10SKM05TG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 278A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 278A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 700nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP4 Paket / Fall: SP4	Auf Lager8.334
APTM10UM01FAG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 860A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 860A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 275A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 12mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2100nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2500W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager177
APTM10UM02FAG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 570A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 570A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1360nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1660W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager7.254
APTM120DA15G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 748nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1250W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager6.372
APTM120DA29TG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 374nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP4 Paket / Fall: SP4	Auf Lager7.344
APTM120DA30CT1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14560pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 657W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager4.338
APTM120DA30T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14560pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 657W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager7.470
APTM120DA56T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7736pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 390W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager3.186
APTM120DA68T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 816mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6696pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager7.722
APTM120SK15G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 748nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1250W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager2.214
APTM120SK29TG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 374nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP4 Paket / Fall: SP4	Auf Lager4.482
APTM120SK56T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7736pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 390W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager8.838
APTM120SK68T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 816mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6696pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager7.668
APTM120U10DAG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1100nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3290W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager6.696
APTM120U10SAG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 116A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1100nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3290W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager5.796
APTM120U10SCAVG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 116A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1100nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3290W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager7.686
APTM120UM70DAG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 171A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 85.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 30mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1650nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5000W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager7.092
APTM120UM70FAG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 171A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 85.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 30mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1650nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5000W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager3.006
APTM120UM95FAG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 103A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 103A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 51.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 15mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1122nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2272W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager6.642
APTM20DAM04G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 372A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 372A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1250W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager4.968
APTM20DAM05G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 317A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 317A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 158.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 448nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 27400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1136W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager6.840
APTM20DAM08TG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 208A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 208A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 781W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP4 Paket / Fall: SP4	Auf Lager3.114
APTM20DAM10TG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 175A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 175A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 694W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP4 Paket / Fall: SP4	Auf Lager2.628
APTM20SKM04G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 372A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 372A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1250W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager3.492
APTM20SKM05G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 317A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 317A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 158.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 448nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 27400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1136W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager2.808
APTM20SKM08TG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 208A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 208A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 781W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP4 Paket / Fall: SP4	Auf Lager8.550
APTM20SKM10TG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 175A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 175A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 694W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP4 Paket / Fall: SP4	Auf Lager8.766
APTM20UM03FAG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 580A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 580A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 290A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 15mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 840nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2270W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager7.128
APTM20UM04SAG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 417A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 417A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 208.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1560W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager3.006

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