Transistoren

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APTC60DAM24T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 95A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 95A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 462W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager8.010
APTC60DAM35T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 72A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 416W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager6.984
APTC60SKM24CT1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 95A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 95A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 462W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager3.186
APTC60SKM24T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 95A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 95A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 462W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager5.184
APTC60SKM35T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 72A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 416W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager3.924
APTC80DA15T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 28A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 277W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager2.916
APTC80SK15T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 28A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 277W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager4.356
APTC90DAM60CT1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 59A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 59A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 462W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager2.124
APTC90DAM60T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 59A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 59A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 462W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager6.156
APTC90SKM60CT1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 59A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 59A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 462W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager7.776
APTC90SKM60T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 59A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 59A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 462W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager5.706
APTM100DA18CT1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 657W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager8.784
APTM100DA18T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 657W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager3.672
APTM100DA18TG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 43A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 372nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP4 Paket / Fall: SP4	Auf Lager3.276
APTM100DA33T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7868pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 390W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager4.392
APTM100DA40T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager5.112
APTM100DAM90G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 78A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 744nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1250W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager3.060
APTM100SK18TG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 43A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 372nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP4 Paket / Fall: SP4	Auf Lager5.382
APTM100SK33T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7868pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 390W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager4.698
APTM100SK40T1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP1 Paket / Fall: SP1	Auf Lager4.284
APTM100SKM90G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 78A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 744nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1250W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager3.456
APTM100U13SG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 65A J3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 65A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2000nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 31600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1250W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: Module Paket / Fall: J3 Module	Auf Lager8.784
APTM100UM45DAG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 215A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 107.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 30mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1602nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 42700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5000W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager7.974
APTM100UM45FAG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 215A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 107.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 30mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1602nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 42700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5000W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager2.124
APTM100UM60FAG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 129A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 129A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 64.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 15mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1116nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 31100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2272W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager8.100
APTM100UM65DAG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 145A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1068nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3250W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager5.868
APTM100UM65SAG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 145A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1068nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3250W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager5.130
APTM100UM65SCAVG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 145A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 72.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1068nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3250W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: Module	Auf Lager8.190
APTM10DAM02G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 495A SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 495A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1360nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1250W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP6 Paket / Fall: SP6	Auf Lager2.970
APTM10DAM05TG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 278A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 278A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 700nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP4 Paket / Fall: SP4	Auf Lager6.840

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