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APT7M120S Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 335W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D3Pak Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.336
APT8014JLL Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7238pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 595W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager3.762
APT8018JN Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS IV® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 700nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 690W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager8.946
APT8020B2LLG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 694W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: T-MAX™ [B2] Paket / Fall: TO-247-3 Variant	Auf Lager6.948
APT8020JLL Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager5.166
APT8024B2LLG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4670pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 565W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: T-MAX™ [B2] Paket / Fall: TO-247-3 Variant	Auf Lager8.370
APT8024JLL Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4670pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager6.462
APT8024LLLG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4670pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 565W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264 [L] Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager2.970
APT8024LVRG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 33A TO-264 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7740pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264 [L] Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager7.632
APT8075BN Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS IV® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 310W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AD Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.718
APT80F60J Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 84A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 598nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 23994pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 961W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager8.838
APT80M60J Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 84A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 600nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 24000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 960W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager3.294
APT80SM120B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single POWER MOSFET - SIC Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 555W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.316
APT80SM120J Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single POWER MOSFET - SIC Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 51A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 273W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager6.552
APT80SM120S Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single POWER MOSFET - SIC Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D3Pak Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager5.688
APT84F50B2 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 84A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 84A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1135W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: T-MAX™ [B2] Paket / Fall: TO-247-3 Variant	Auf Lager5.400
APT84F50L Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 84A TO-264 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 84A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1135W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264 [L] Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager7.236
APT84M50B2 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 84A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1135W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: T-MAX™ [B2] Paket / Fall: TO-247-3 Variant	Auf Lager2.826
APT84M50L Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 84A TO-264 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 84A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1135W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264 Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager4.968
APT8M100B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1885pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 290W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.684
APT8M80K Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1335pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 225W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 [K] Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.402
APT94N60L2C3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 94A TO264 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 94A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 833W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: 264 MAX™ [L2] Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager6.606
APT94N65B2C3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 94A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 47A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13940pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 833W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: T-MAX™ [B2] Paket / Fall: TO-247-3 Variant	Auf Lager2.700
APT94N65B2C6 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 95A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8140pF @ 25V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 833W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: T-MAX™ [B2] Paket / Fall: TO-247-3 Variant	Auf Lager4.878
APT97N65LC6 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 97A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 48.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.96mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7650pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 862W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264 [L] Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager4.140
APT9F100B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2606pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 337W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.510
APT9F100S Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2606pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 337W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D3Pak Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager4.374
APT9M100B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2605pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 335W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.464
APTC60DAM18CTG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 143A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 143A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 71.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1036nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 833W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP4 Paket / Fall: SP4	Auf Lager3.580
APTC60DAM24CT1G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 95A SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 95A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 462W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SP4 Paket / Fall: SP4	Auf Lager3.672

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