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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
APT12057LFLLG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5155pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 690W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264 [L] Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager6.462
APT12067B2LLG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4420pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 565W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: T-MAX™ [B2] Paket / Fall: TO-247-3 Variant	Auf Lager8.838
APT12067JLL Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager8.064
APT12080JVR Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 485nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 450W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager2.322
APT12F60K Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 225W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 [K] Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager4.230
APT12M80B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2470pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 335W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.240
APT130SM70B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 700V TO247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 60A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 700V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 556W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.262
APT130SM70J Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 700V SOT227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 78A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 60A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 700V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 273W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager6.390
APT13F120B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4765pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.020
APT13F120S Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4765pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D3Pak Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager6.984
APT14050JVFR Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 820nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 694W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager4.230
APT14F100B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3965pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.254
APT14F100S Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3965pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D3Pak Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager8.064
APT14M100B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3965pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.590
APT14M100S Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3965pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D3Pak Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.158
APT14M120B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4765pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.122
APT15F50K Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 15A TO-220 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 223W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 [K] Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.784
APT15F60B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 15A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2882pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 290W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.948
APT15F60S Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2882pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 290W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D3Pak Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager3.418
APT17F100B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4845pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.948
APT17F100S Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4845pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D3Pak Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager6.930
APT17F120J Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9670pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 545W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager3.472
APT17F80B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 18A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3757pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.210
APT17F80S Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3757pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D3Pak Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager5.328
APT17N80BC3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 208W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.232
APT17N80SC3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 208W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D3Pak Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager5.112
APT18F60B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3550pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 335W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.924
APT18F60S Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3550pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 335W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D3Pak Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager2.376
APT18M100B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4845pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.642
APT18M80B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3760pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.236

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