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AOW296 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO262 Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaSGT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2785pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager4.932
AOW298 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 9A TO262 Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1670pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager2.358
AOW29S50 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 29A TO262 Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1312pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.454
AOW410 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V TO262 Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.532
AOW418 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 9.5A TO262 Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: SDMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Ta), 105A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 333W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager4.158
AOW480 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 15A TO262 Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: SDMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7820pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.9W (Ta), 333W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.510
AOW482 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 11A TO262 Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: SDMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 105A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4870pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 333W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.474
AOW4S60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 4A TO262 Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 263pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager2.232
AOW66616 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 60V N-CHANNEL ALPHASGT TM Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaSGT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A (Ta), 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 6.2W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager17.748
AOW7S60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 7A TO262 Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 372pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.694
AOW7S65 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 7A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 434pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.262
AOWF10N60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 10A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262F Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager8.010
AOWF10N65 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 10A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1645pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager5.382
AOWF10T60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 10A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1346pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262F Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager3.942
AOWF10T60P Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 10A TO-262 Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1595pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262F Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager7.974
AOWF11C60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 11A TO-262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262F Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager8.442
AOWF11N60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 11A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 27.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262F Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager2.502
AOWF11N70 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 700V 11A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager8.280
AOWF11S60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 11A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager3.024
AOWF11S65 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 11A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager4.896
AOWF12N50 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 12A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1633pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager7.956
AOWF12N60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 12A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager2.826
AOWF12N65 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 12A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager6.876
AOWF12T60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 12A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1954pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262F Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager2.484
AOWF12T60P Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 12A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2028pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262F Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager22.860
AOWF14N50 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 14A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2297pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager5.562
AOWF15S60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 15A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 717pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 27.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager3.240
AOWF15S65 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 15A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 841pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager5.868
AOWF20S60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1038pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager7.722
AOWF240 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 21A TO262F Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Ta), 83A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3510pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 33.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Auf Lager6.156

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