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APT1002RBNG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS IV® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 240W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AD Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.066
APT10035B2LLG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5185pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 690W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: T-MAX™ [B2] Paket / Fall: TO-247-3 Variant	Auf Lager4.482
APT10035JLL Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5185pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager8.010
APT1003RBLLG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 694pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 139W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.100
APT1003RKLLG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 694pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 139W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 [K] Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.994
APT10045B2LLG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 565W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: T-MAX™ [B2] Paket / Fall: TO-247-3 Variant	Auf Lager8.982
APT10045JLL Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager3.618
APT10078BLLG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2525pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 403W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.032
APT10078SLLG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2525pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 403W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D3 [S] Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager3.544
APT10090BLLG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1969pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 298W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.024
APT100F50J Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 103A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 24600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 960W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager4.572
APT100M50J Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 103A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 24600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 960W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager4.122
APT100MC120JCU2 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 143A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5960pF @ 1000V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager7.110
APT106N60B2C6 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 106A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 53A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8390pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 833W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: T-MAX™ [B2] Paket / Fall: TO-247-3 Variant	Auf Lager7.146
APT10M07JVR Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 225A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1050nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 21600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager7.866
APT10M09B2VFRG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: T-MAX™ [B2] Paket / Fall: TO-247-3 Variant	Auf Lager8.424
APT10M11B2VFRG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: T-MAX™ Paket / Fall: TO-247-3 Variant	Auf Lager5.400
APT10M11JVR Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 144A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 450W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager7.452
APT10M11JVRU2 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 142A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 71A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 450W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager7.056
APT10M11JVRU3 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 142A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 71A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 450W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager4.716
APT11F80B Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2471pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 337W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.086
APT11F80S Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2471pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 337W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D3Pak Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager6.156
APT11N80BC3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1585pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 156W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.208
APT11N80KC3G Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1585pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 156W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 [K] Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.280
APT1201R4BFLLG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2030pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.834
APT12031JFLL Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 365nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9480pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 690AW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager5.453
APT1204R7BFLLG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 135W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 [B] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager9.228
APT1204R7KFLLG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 135W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 [K] Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.700
APT12057B2LLG Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 690W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: T-MAX™ [B2] Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.716
APT12057JLL Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager4.554

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