Speicher-ICs

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MT48LC8M32B2F5-7 IT Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager2.322
MT48LC8M32B2F5-7 IT TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager5.472
MT48LC8M32B2F5-7 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager3.492
MT48LC8M32B2P-6 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager8.838
MT48LC8M32B2P-7 IT TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager6.786
MT48LC8M32B2P-7 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager6.732
MT48LC8M32B2TG-6 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager7.362
MT48LC8M32B2TG-7 IT TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager3.852
MT48LC8M32B2TG-7 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager7.704
MT48LC8M32LFB5-10 Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager6.588
MT48LC8M32LFB5-10 IT Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager4.734
MT48LC8M32LFB5-10 IT TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager3.150
MT48LC8M32LFB5-10 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager8.064
MT48LC8M32LFB5-8 IT TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager8.694
MT48LC8M32LFB5-8 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager6.480
MT48LC8M32LFF5-10 Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager8.226
MT48LC8M32LFF5-10 IT Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager4.140
MT48LC8M32LFF5-10 IT TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager2.754
MT48LC8M32LFF5-10 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager7.182
MT48LC8M32LFF5-8 Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager8.712
MT48LC8M32LFF5-8 IT Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager7.002
MT48LC8M32LFF5-8 IT TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager2.844
MT48LC8M32LFF5-8 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager4.086
MT48LC8M8A2P-6A:J Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.492
MT48LC8M8A2P-6A:J TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.150
MT48LC8M8A2P-75:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager4.049
MT48LC8M8A2P-75:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager7.416
MT48LC8M8A2P-75 IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager7.560
MT48LC8M8A2P-75 IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager8.442
MT48LC8M8A2P-75 L:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager8.190

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