Speicher-ICs

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MT48LC8M8A2P-7E:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager8.514
MT48LC8M8A2P-7E:J Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager7.938
MT48LC8M8A2P-7E:J TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager7.038
MT48LC8M8A2P-7E L:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager4.662
MT48LC8M8A2P-7E L:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager4.500
MT48LC8M8A2TG-75:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager6.534
MT48LC8M8A2TG-75 L:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager5.058
MT48LC8M8A2TG-7E L:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager7.812
MT48LC8M8A2TG-7E L:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.544
MT48V4M32LFB5-10:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager4.500
MT48V4M32LFB5-10:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager6.660
MT48V4M32LFB5-10 IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager7.938
MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager7.416
MT48V4M32LFB5-8:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager5.220
MT48V4M32LFB5-8:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager7.452
MT48V4M32LFB5-8 IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager3.870
MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager7.110
MT48V4M32LFB5-8 XT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -20°C ~ 75°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager3.870
MT48V4M32LFB5-8 XT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -20°C ~ 75°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager8.856
MT48V4M32LFF5-10:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager5.652
MT48V4M32LFF5-10 IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager7.200
MT48V4M32LFF5-8:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager5.598
MT48V4M32LFF5-8:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager8.586
MT48V4M32LFF5-8 IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager8.964
MT48V4M32LFF5-8 IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager6.192
MT48V8M16LFB4-10:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager8.352
MT48V8M16LFB4-10:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager2.610
MT48V8M16LFB4-10 IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager6.912
MT48V8M16LFB4-10 IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager8.622
MT48V8M16LFB4-8:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager8.912

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