Speicher-ICs

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MT48LC64M8A2P-7E:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager2.250
MT48LC64M8A2TG-75:C Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager12.768
MT48LC64M8A2TG-75:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager4.230
MT48LC64M8A2TG-75 IT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.222
MT48LC64M8A2TG-75:IT:C Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager17.172
MT48LC64M8A2TG-75 IT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager6.840
MT48LC64M8A2TG-75 L:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.276
MT48LC64M8A2TG-75 L:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager2.826
MT48LC8M16A2B4-6A AAT:L Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager6.714
MT48LC8M16A2B4-6A AAT:L TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager7.938
MT48LC8M16A2B4-6A AIT:L Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager6.390
MT48LC8M16A2B4-6A AIT:L TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager8.874
MT48LC8M16A2B4-6A IT:L Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager600
MT48LC8M16A2B4-6A IT:L TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager1.236
MT48LC8M16A2B4-6A:L Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager3.315
MT48LC8M16A2B4-6A:L TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager6.318
MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager4.194
MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager4.302
MT48LC8M16A2B4-75:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager5.022
MT48LC8M16A2B4-75:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager4.680
MT48LC8M16A2B4-75 IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager7.848
MT48LC8M16A2B4-75 IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager4.734
MT48LC8M16A2F4-75:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager3.528
MT48LC8M16A2F4-75 IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager5.094
MT48LC8M16A2P-6A AAT:L Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager6.966
MT48LC8M16A2P-6A AAT:L TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.888
MT48LC8M16A2P-6A AIT:L Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager5.238
MT48LC8M16A2P-6A AIT:L TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager8.730
MT48LC8M16A2P-6A:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.490
MT48LC8M16A2P-6A:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager4.158

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