Speicher-ICs

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MT48LC4M32B2P-6A AAT:L Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager12.548
MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager7.794
MT48LC4M32B2P-6A AIT:L Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager27.512
MT48LC4M32B2P-6A AIT:L TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager5.778
MT48LC4M32B2P-6A IT:L Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager390
MT48LC4M32B2P-6A IT:L TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager4.932
MT48LC4M32B2P-6A:L Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager8.010
MT48LC4M32B2P-6A:L TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager20.796
MT48LC4M32B2P-6A XIT:L Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager2.286
MT48LC4M32B2P-6A XIT:L TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager4.356
MT48LC4M32B2P-6:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager12.789
MT48LC4M32B2P-6:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager5.598
MT48LC4M32B2P-6 IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager7.668
MT48LC4M32B2P-7:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager14.581
MT48LC4M32B2P-7:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager3.420
MT48LC4M32B2P-7 IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager5.454
MT48LC4M32B2P-7 IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager7.668
MT48LC4M32B2TG-6A IT:L Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager5.058
MT48LC4M32B2TG-6A:L Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager20.940
MT48LC4M32B2TG-6:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager8.064
MT48LC4M32B2TG-7:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager20.921
MT48LC4M32B2TG-7:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager8.802
MT48LC4M32B2TG-7 IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II	Auf Lager2.250
MT48LC4M32LFB5-10:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager5.886
MT48LC4M32LFB5-10 IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager6.678
MT48LC4M32LFB5-8:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager7.074
MT48LC4M32LFB5-8:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager2.070
MT48LC4M32LFB5-8 IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager4.698
MT48LC4M32LFB5-8 IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager8.172
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -20°C ~ 75°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager2.034

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