Speicher-ICs

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MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-WFBGA (12x12)	Auf Lager6.588
MT46H64M32LFMA-6 WT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-WFBGA (12x12)	Auf Lager6.444
MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-WFBGA (12x12)	Auf Lager2.250
MT46H64M32LFT89MWC2-N1004 Micron Technology Inc.	Speicher MOBILE DDR 2G DIE 64MX32 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.660
MT46H8M16LFBF-5 IT:K Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager4.734
MT46H8M16LFBF-5:K Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager7.974
MT46H8M16LFBF-5:K TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager8.892
MT46H8M16LFBF-6 AT:K Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager6.372
MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager5.796
MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager4.860
MT46H8M16LFBF-6:K Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager6.588
MT46H8M16LFCF-10 Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x10)	Auf Lager4.356
MT46H8M16LFCF-10 IT Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x10)	Auf Lager8.046
MT46H8M16LFCF-10 IT TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x10)	Auf Lager3.562
MT46H8M16LFCF-10 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x10)	Auf Lager8.262
MT46H8M16LFCF-75 Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 6.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x10)	Auf Lager8.154
MT46H8M16LFCF-75 IT Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 6.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x10)	Auf Lager8.766
MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager8.640
MT46H8M32LFB5-5:H Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager5.796
MT46H8M32LFB5-5:H TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager4.158
MT46H8M32LFB5-5 IT:H Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager7.398
MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager5.832
MT46H8M32LFB5-6:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager8.910
MT46H8M32LFB5-6:H Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager759
MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager4.734
MT46H8M32LFB5-6 IT:H Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager616
MT46H8M32LFB5-75:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 6.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager3.472
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 6.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager8.622
MT46V128M4BN-5B:F Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)	Auf Lager6.426
MT46V128M4BN-5B:F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (10x12.5)	Auf Lager8.928

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