Speicher-ICs

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MT46V128M4TG-6T:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager2.862
MT46V128M4TG-6T:F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager6.300
MT46V128M4TG-75:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager8.694
MT46V128M4TG-75:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager6.318
MT46V128M4TG-75E:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager4.122
MT46V128M4TG-75E:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager3.960
MT46V128M8P-6T:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager522
MT46V128M8P-6T:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager7.830
MT46V128M8P-6T IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager4.752
MT46V128M8P-75:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager4.338
MT46V128M8P-75:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager2.700
MT46V128M8TG-6T:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager3.456
MT46V128M8TG-6T:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager2.466
MT46V128M8TG-75:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager3.132
MT46V128M8TG-75:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager8.532
MT46V16M16BG-5B:F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x14)	Auf Lager4.410
MT46V16M16BG-6:F Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x14)	Auf Lager6.444
MT46V16M16BG-6:F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x14)	Auf Lager3.654
MT46V16M16BG-6 IT:F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x14)	Auf Lager6.372
MT46V16M16CY-5B AAT:M Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12.5)	Auf Lager4.356
MT46V16M16CY-5B AAT:M TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12.5)	Auf Lager12.264
MT46V16M16CY-5B AIT:M Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12.5)	Auf Lager2.358
MT46V16M16CY-5B AIT:M TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12.5)	Auf Lager8.298
MT46V16M16CY-5B IT:M Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12.5)	Auf Lager1.215
MT46V16M16CY-5B IT:M TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12.5)	Auf Lager26.850
MT46V16M16CY-5B:K TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12.5)	Auf Lager7.758
MT46V16M16CY-5B:M Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12.5)	Auf Lager4.005
MT46V16M16CY-5B:M TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12.5)	Auf Lager14.976
MT46V16M16CY-5B XIT:M Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12.5)	Auf Lager7.470
MT46V16M16CY-5B XIT:M TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12.5)	Auf Lager6.480

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