Speicher-ICs

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MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager3.420
MT46H64M16LFBF-6 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager5.634
MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager8.982
MT46H64M16LFCK-5:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x11.5)	Auf Lager6.408
MT46H64M16LFCK-5 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x11.5)	Auf Lager8.010
MT46H64M16LFCK-5 IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x11.5)	Auf Lager8.514
MT46H64M16LFCK-5 L IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x11.5)	Auf Lager6.444
MT46H64M16LFCK-5 L IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x11.5)	Auf Lager7.848
MT46H64M16LFCK-6:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x11.5)	Auf Lager8.262
MT46H64M16LFCK-6 IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x11.5)	Auf Lager5.796
MT46H64M16LFT68MWC2 Micron Technology Inc.	Speicher MOBILE DDR 1G DIE 64MX16 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.762
MT46H64M32L2CG-5 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 152VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 152-VFBGA Lieferantengerätepaket: 152-VFBGA (14x14)	Auf Lager8.784
MT46H64M32L2CG-5 IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 152VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 152-VFBGA Lieferantengerätepaket: 152-VFBGA (14x14)	Auf Lager3.870
MT46H64M32L2CG-6 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 152VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 152-VFBGA Lieferantengerätepaket: 152-VFBGA (14x14)	Auf Lager8.316
MT46H64M32L2CG-6 IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 152VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 152-VFBGA Lieferantengerätepaket: 152-VFBGA (14x14)	Auf Lager3.960
MT46H64M32L2JG-5:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager8.064
MT46H64M32L2JG-5:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager2.664
MT46H64M32L2JG-5 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager4.554
MT46H64M32L2JG-5 IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager3.204
MT46H64M32L2JG-6:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager7.164
MT46H64M32L2JG-6:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager8.622
MT46H64M32L2JG-6 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager7.110
MT46H64M32L2JG-6 IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager2.826
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager5.454
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager12.738
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager2.988
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager2.538
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager7.326
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager3.744
MT46H64M32LFCM-5 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (10x13)	Auf Lager8.082

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