Speicher-ICs

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MT46H16M32LFT67M-N1003 Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM MOBILE DDR 512M Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.600
MT46H1DAMA-DC Micron Technology Inc.	Speicher IC MOBILE DDR 1G 32MX32 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.240
MT46H1DBB5-DC Micron Technology Inc.	Speicher IC MOBILE DDR 512M NAX16 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.832
MT46H256M32L4JV-5 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager6.372
MT46H256M32L4JV-5 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager6.030
MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager2.214
MT46H256M32L4JV-5 WT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager4.752
MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager6.156
MT46H256M32L4JV-6 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager8.982
MT46H256M32L4JV-6 WT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager5.922
MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager6.408
MT46H256M32L4LE-48 WT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 208MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-TFBGA (12x12)	Auf Lager3.456
MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-TFBGA (12x12)	Auf Lager2.538
MT46H256M32L4SA-48 WT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TFBGA Lieferantengerätepaket: 168-TFBGA (12x12)	Auf Lager955
MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TFBGA Lieferantengerätepaket: 168-TFBGA (12x12)	Auf Lager5.652
MT46H256M32R4JV-5 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager7.110
MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager3.978
MT46H256M32R4JV-5 WT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager6.084
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager4.032
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager3.114
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager21.204
MT46H32M16LFBF-5:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager4.338
MT46H32M16LFBF-5 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager5.076
MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager3.562
MT46H32M16LFBF-5 IT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager156.270
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager7.308
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager2.736
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager6.480
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager6.282
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager6.084

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