Speicher-ICs

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MT45W512KW16PEGA-70 IT TR Micron Technology Inc.	Speicher IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: PSRAM Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße: 8Mb (512K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-VFBGA Lieferantengerätepaket: 48-VFBGA (6x8)	Auf Lager6.138
MT45W512KW16PEGA-70 WT TR Micron Technology Inc.	Speicher IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: PSRAM Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße: 8Mb (512K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-VFBGA Lieferantengerätepaket: 48-VFBGA (6x8)	Auf Lager4.392
MT45W8MW16BGX-701 IT Micron Technology Inc.	Speicher IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: PSRAM Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x10)	Auf Lager5.184
MT45W8MW16BGX-701 IT TR Micron Technology Inc.	Speicher IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: PSRAM Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x10)	Auf Lager3.456
MT45W8MW16BGX-701 WT TR Micron Technology Inc.	Speicher IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: PSRAM Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x10)	Auf Lager6.444
MT45W8MW16BGX-708 WT TR Micron Technology Inc.	Speicher IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: PSRAM Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 80MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x10)	Auf Lager3.672
MT45W8MW16BGX-856 AT Micron Technology Inc.	Speicher IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: PSRAM Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 66MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns Zugriffszeit: 85ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x10)	Auf Lager3.402
MT46H128M16LFB7-5 AIT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x10)	Auf Lager6.552
MT46H128M16LFB7-5 AIT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x10)	Auf Lager3.472
MT46H128M16LFB7-5 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x10)	Auf Lager4.518
MT46H128M16LFB7-5 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x10)	Auf Lager4.752
MT46H128M16LFB7-5 WT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x10)	Auf Lager7.074
MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x10)	Auf Lager6.282
MT46H128M16LFB7-6 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x10)	Auf Lager8.208
MT46H128M16LFB7-6 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x10)	Auf Lager5.112
MT46H128M16LFB7-6 WT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x10)	Auf Lager7.110
MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x10)	Auf Lager4.734
MT46H128M16LFCK-5 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x11.5)	Auf Lager2.736
MT46H128M16LFCK-6 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (10x11.5)	Auf Lager133.916
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager3.472
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager23.748
MT46H128M16LFDD-48 IT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager2.925
MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager4.572
MT46H128M16LFDD-48 WT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager6.606
MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-VFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (8x9)	Auf Lager2.466
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-WFBGA (12x12)	Auf Lager2.178
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-WFBGA (12x12)	Auf Lager5.904
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-WFBGA (12x12)	Angebot anfordern
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 208MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-WFBGA (12x12)	Auf Lager6.156
MT46H128M32L2KQ-5 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.0ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-WFBGA (12x12)	Auf Lager7.452

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