Speicher-ICs

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MT44K32M18RB-125:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager7.236
MT44K32M18RB-125E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager6.480
MT44K32M18RB-125E:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager2.520
MT44K32M18RB-125E IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager7.866
MT44K32M18RB-125E IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager7.542
MT44K32M18RB-125F:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager2.556
MT44K32M18RB-125F:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager8.550
MT44K32M36RB-083E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (32Mb x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA	Auf Lager5.832
MT44K32M36RB-083E:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (32Mb x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA	Auf Lager3.870
MT44K32M36RB-083F:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (32Mb x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6.67ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA	Auf Lager3.006
MT44K32M36RB-083F:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (32Mb x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6.67ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA	Auf Lager8.964
MT44K32M36RB-093E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (32Mb x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA	Auf Lager3.237
MT44K32M36RB-093E:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (32Mb x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA	Auf Lager8.982
MT44K32M36RB-093F:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (32Mb x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA	Auf Lager2.376
MT44K32M36RB-093F:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (32Mb x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA	Auf Lager8.532
MT44K32M36RB-107E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (32Mb x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA	Auf Lager8.890
MT44K32M36RB-107E:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (32Mb x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA	Auf Lager5.940
MT44K32M36RB-107E IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (32Mb x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA	Auf Lager6.552
MT44K32M36RB-107E IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (32Mb x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA	Auf Lager5.976
MT44K32M36RCT-125:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (32Mb x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-LBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager7.704
MT44K32M36RCT-125E:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (32Mb x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.068
MT44K32M36RCT-125 IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (32Mb x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.916
MT44K64M18RB-083E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (64Mb x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager3.816
MT44K64M18RB-083E:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (64Mb x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager3.330
MT44K64M18RB-083F:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (64Mb x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6.67ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager4.374
MT44K64M18RB-083F:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (64Mb x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6.67ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager8.568
MT44K64M18RB-093E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (64Mb x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager6.304
MT44K64M18RB-093E:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (64Mb x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager6.336
MT44K64M18RB-093F:A Micron Technology Inc.	Speicher RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (64Mb x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager8.892
MT44K64M18RB-093F:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 1.125Gb (64Mb x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager2.754

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