Speicher-ICs

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MT44K16M36RB-107E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager3.240
MT44K16M36RB-107E IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager6.498
MT44K16M36RB-107E IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager8.100
MT44K16M36RB-125:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager7.848
MT44K16M36RB-125:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager2.502
MT44K16M36RB-125E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager3.960
MT44K16M36RB-125E:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager2.358
MT44K16M36RB-125F:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager3.780
MT44K16M36RB-125F:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager8.928
MT44K32M18RB-093:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager8.064
MT44K32M18RB-093:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager6.894
MT44K32M18RB-093E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager3.456
MT44K32M18RB-093E:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager7.236
MT44K32M18RB-093E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager4.734
MT44K32M18RB-093E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager7.416
MT44K32M18RB-093E IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager831
MT44K32M18RB-093E IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager6.192
MT44K32M18RB-093F:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager5.616
MT44K32M18RB-093F:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager7.758
MT44K32M18RB-093 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager2.592
MT44K32M18RB-093 IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager7.182
MT44K32M18RB-107:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager3.330
MT44K32M18RB-107:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager7.056
MT44K32M18RB-107E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager5.544
MT44K32M18RB-107E:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager4.248
MT44K32M18RB-107E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager6.287
MT44K32M18RB-107E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager2.322
MT44K32M18RB-107E IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager4.464
MT44K32M18RB-107E IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager7.254
MT44K32M18RB-125:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager8.550

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