Speicher-ICs

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MT42L64M64D2KH-3 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (64M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.3V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager6.462
MT42L64M64D2LL-18 IT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (64M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.3V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager6.138
MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (64M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.3V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager5.130
MT42L64M64D2LL-18 WT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (64M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.3V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager4.374
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (64M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.3V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager4.644
MT42L64M64D2MC-3 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (64M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.3V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 240-WFBGA Lieferantengerätepaket: 240-FBGA (14x14)	Auf Lager7.002
MT42L64M64D2MP-25 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 220FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (64M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.3V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 220-WFBGA Lieferantengerätepaket: 220-FBGA (14x14)	Auf Lager6.822
MT43A4G40200NFA-S15:A Micron Technology Inc.	Speicher HMC 16G NANA HBBGA QDP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Angebot anfordern
MT43A4G40200NFA-S15 ES:A Micron Technology Inc.	Speicher HMC 4GX4 PLASTIC GREEN BGA 2GB 1 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.907
MT43A4G80200NFH-S15:A Micron Technology Inc.	Speicher HMC 32G NANA HBBGA 8DP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.622
MT43A4G80200NFH-S15 ES:A Micron Technology Inc.	Speicher HMC 4GX8 PLASTIC GREEN BGA 4GB 1 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.554
MT44K16M36RB-093:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager4.428
MT44K16M36RB-093:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager5.400
MT44K16M36RB-093E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager6.660
MT44K16M36RB-093E:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager3.618
MT44K16M36RB-093E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager691
MT44K16M36RB-093E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager8.100
MT44K16M36RB-093E IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager6.912
MT44K16M36RB-093E IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager7.398
MT44K16M36RB-093E IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager1.980
MT44K16M36RB-093E IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager2.664
MT44K16M36RB-093F:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager147
MT44K16M36RB-093F:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager8.892
MT44K16M36RB-093 IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager6.300
MT44K16M36RB-093 IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager4.482
MT44K16M36RB-107:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager8.802
MT44K16M36RB-107:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager6.012
MT44K16M36RB-107E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager8.136
MT44K16M36RB-107E:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager8.964
MT44K16M36RB-107E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TBGA Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)	Auf Lager411

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